ȾƳÂÎ
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- 154±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 140±ß¡¢ÀÇ 14±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-6-15
-
- ¥È¥é¥ó¥¸¥¹¥¿ 2SD
973 - 231±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 210±ß¡¢ÀÇ 21±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
Äã¼þÇÈÅÅÎÏÁýÉýÍÑ
B-6-17 - ¥È¥é¥ó¥¸¥¹¥¿ 2SD
-
- ¥È¥é¥ó¥¸¥¹¥¿ 2SD
856-P - 396±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 360±ß¡¢ÀÇ 36±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
NPN»°½Å³È»¶¥Ö¥ì¥Ê¡¼·Á¥Ñ¥ï¡¼¥È¥é¥ó¥¸¥¹¥¿
Vcbo=60V,Ic=3A,Pc=35W,hfe1=120¡Á250
H-B-6-3 - ¥È¥é¥ó¥¸¥¹¥¿ 2SD
-
- ¥È¥é¥ó¥·¡«¥¹¥¿
- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«¡¦Äã¼þÇÈÅÅÎÏÁýÉýÍÑ B-6-16
-
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- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
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Äã¼þÇÈÅÅÎÏÁýÉýÍÑ B-2-4
-
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- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-6-16
-
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- 2,200±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 2,000±ß¡¢ÀÇ 200±ß¡Ë
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E-2-2
-
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- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
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B-5-7
-
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- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
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B-5-7
-
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- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
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B-5-7
-
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- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-5-7
-
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- 44±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 40±ß¡¢ÀÇ 4±ß¡Ë
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B-5-7
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- 44±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 40±ß¡¢ÀÇ 4±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-5-7
-
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- 44±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 40±ß¡¢ÀÇ 4±ß¡Ë
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B-5-7
-
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- 308±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 280±ß¡¢ÀÇ 28±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-5-8
-
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- 286±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 260±ß¡¢ÀÇ 26±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
-
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- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
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B-6-5
-
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- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
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B-6-5
-
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- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
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B-5-8
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- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
B-2-5