ȾƳÂÎ
-
- FET 2SK494
- 121±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 110±ß¡¢ÀÇ 11±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Silicon N-Channel Junction FET
Low frequency/High frequency amplifier
F-1-7 -
- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 495±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 450±ß¡¢ÀÇ 45±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ F-1-7
-
- FET
- 616±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 560±ß¡¢ÀÇ 56±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 187±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 170±ß¡¢ÀÇ 17±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 880±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 800±ß¡¢ÀÇ 80±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 231±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 210±ß¡¢ÀÇ 21±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8/H-¥Ä-TAK-40-10
-
- FET
- 858±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 780±ß¡¢ÀÇ 78±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 880±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 800±ß¡¢ÀÇ 80±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 440±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 400±ß¡¢ÀÇ 40±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 495±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 450±ß¡¢ÀÇ 45±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 1,331±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 1,210±ß¡¢ÀÇ 121±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 385±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 350±ß¡¢ÀÇ 35±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹©¶ÈÍÑ¡¡ÌÌÉÕ¥¿¥¤¥Õ¡¬¡¡¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ¡¦Ä㥪¥óÄñ¹³ F-1-9
-
- FET 2SK1317
- 935±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 850±ß¡¢ÀÇ 85±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-Channel MOS FET
¹â®¡¢¹âÂÑ°µ
VDSS=1500V,ID=2.5A,PD=100W
¥â¡¼¥¿¡¼¥É¥é¥¤¥Ö¡¢DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿¡¼¡¢¥Ñ¥ï¡¼¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¤ËºÇŬ
F-1-10 -
- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-10
-
- FET
- 385±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 350±ß¡¢ÀÇ 35±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-10