¾¦ÉʰìÍ÷
-
- FET
- 385±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 350±ß¡¢ÀÇ 35±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N CHANNEL Power MOSFET
¥â¡¼¥¿¥É¥é¥¤¥Ö¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=900V ID=5A PD=40W
F-2-3 -
- FET
- 660±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 600±ß¡¢ÀÇ 60±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Power MOSFET
¥Á¥ç¥Ã¥Ñ¡¼¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¡¦¥â¡¼¥¿¥É¥é¥¤¥Ö¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=900V ID=7A PD=150W
F-2-3 -
- FET
- 1,100±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 1,000±ß¡¢ÀÇ 100±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-CHANNEL POWER MOSFET
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¡¦UPS(̵ÄäÅÅÅŸ»ÁõÃÖ)¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=800V ID=¡Þ4A PD=80W
F-2-3 -
- FET
- 550±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 500±ß¡¢ÀÇ 50±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-Channel Silicon Power MOSFET
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¡¦UPS¡Ê̵ÄäÅÅÅŸ»ÁõÃÖ¡Ë¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=900V ID=¡Þ3.5A PD=40W
F-2-4 -
- FET
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-Channel MOSFET
¥Á¥ç¥Ã¥Ñ¡¼¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¡¦¥â¡¼¥¿¥É¥é¥¤¥Ö¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=500V ID=8A PD=65W
F-2-4 -
- FET
- 660±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 600±ß¡¢ÀÇ 60±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Power MOSFET
¥â¡¼¥¿¥É¥é¥¤¥Ö¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=900V ID=8A PD=85W
F-2-4 -
- FET 2SK2903-01MR
- 836±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 760±ß¡¢ÀÇ 76±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°¥ì¥®¥å¥ì¡¼¥¿¡¦UPS¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ð¡¼¥¿ÍÑ
VDSS=60V ID=¡Þ50A PD=50W
F-2-4 - FET 2SK2903-01MR
-
- FET
- 154±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 140±ß¡¢ÀÇ 14±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥é¥ó¥¯¡¡£Ï¡¢£Ù¡¢£Ç£Ò F-1-4
-
- FET(SOT) 2SK311
3-Z - 132±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 120±ß¡¢ÀÇ 12±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥Í¥ë ¥Ñ¥ï¡¼MOS FET
¥ª¥óÄñ¹³¤¬Ä㤯¡¤¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°ÆÃÀ¤¬Í¥¤ì¤Æ¤ª¤ê¡¤¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°ÅŸ»¡¤AC
¥¢¥À¥×¥¿¤ËŬ¤·¤Æ¤¤¤Þ¤¹¡£
VDSS=600V¡¢ID=¡Þ2A¡¢PD=20W
F-2-5 - FET(SOT) 2SK311
-
- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ï¡«¡¼¥¿¡¦¥â¡¼¥¿¡¡¥È¡«¥é¥¤¥Ï¡«¡¼ÍÑ F-2-5
-
- FET
- 242±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 220±ß¡¢ÀÇ 22±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-2-5
-
- FET
- 2,200±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 2,000±ß¡¢ÀÇ 200±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥ì¥¡«¥å¥ì¡¼¥¿¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ï¡«¡¼¥¿¡¦¥â¡¼¥¿¡¼¥È¡«¥é¥¤¥Õ¡«ÍÑ F-2-5
-
- FET
- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥é¥ó¥¯¡¡£Ù¡¢£Ç£Ò F-1-5
-
- FET
- 440±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 400±ß¡¢ÀÇ 40±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«¡¦DC-DC¥³¥ó¥Ï¡«¡¼¥¿¡¦¥â¡¼¥¿¡¡¥È¡«¥é¥¤¥Ï¡«¡¼ÍÑ F-2-5
-
- FET
- 550±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 500±ß¡¢ÀÇ 50±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡« ton=42ns,toff=65ns F-2-5(typ)
-
- FET 2SK350
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-¥Á¥ã¥ó¥Í¥ë MOS-FET
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥°ÍÑ
VDSS:450V,ID:10A,PD100W
RDS:0.67¦¸,Ciss:1500pF
F-1-6 -
- FET 2SK355
- 550±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 500±ß¡¢ÀÇ 50±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥ó¥Í¥ë MOS-FET
VDSX:150V,ID:12A,PD:120W,Cis:1600pF
F-1-6/H-B-9-2/H-C-15 -
- FET
- 440±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 400±ß¡¢ÀÇ 40±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4
-
- FET 2SK363
- 154±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 140±ß¡¢ÀÇ 14±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N channel field effect transistor
-40V/10mA/400mW
F-1-7/kai¢-60 -
- FET 2SK369-BL
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥ó¥Í¥ëFET¡¡Äã¼þÇÈÄ㻨²»ÁýÉýÍÑ
¥¤¥³¥é¥¤¥¶¥¢¥ó¥×¡¤MC¥Ø¥Ã¥É¥¢¥ó¥×¤Î½éÃʤËŬ¤·¤Þ¤¹
VGDS:-40V,IG:10mA,PD:400mW
IDSSޏŽ×޽:BL(8.0~16.0 mA)
F-1-7/H-Ãæ61/H-60/H-¥Ê/