¾¦ÉʰìÍ÷
-
- FET 2SK369-GR
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥ó¥Í¥ëFET¡¡Äã¼þÇÈÄ㻨²»ÁýÉýÍÑ
¥¤¥³¥é¥¤¥¶¥¢¥ó¥×¡¤MC¥Ø¥Ã¥É¥¢¥ó¥×¤Î½éÃʤËŬ¤·¤Þ¤¹
VGDS:-40V,IG:10mA,PD:400mW
IDSSޏŽ×޽:GR( 5.0~10.0 mA)
F-1-7/H-60/H-¥¿-R-1 -
- FET 2SK372
- 242±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 220±ß¡¢ÀÇ 22±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-Channel MOSFET
F-1-7 -
- FET
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4
-
- FET
- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7/H-¥·-73
-
- FET
- 66±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 60±ß¡¢ÀÇ 6±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4
-
- FET 2SK494
- 121±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 110±ß¡¢ÀÇ 11±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Silicon N-Channel Junction FET
Low frequency/High frequency amplifier
F-1-7 -
- FET
- 66±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 60±ß¡¢ÀÇ 6±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 440±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 400±ß¡¢ÀÇ 40±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 605±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 550±ß¡¢ÀÇ 55±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ F-1-7
-
- FET
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4¡¡µì¥¿¥¤¥×
-
- FET
- 495±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 450±ß¡¢ÀÇ 45±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ F-1-7
-
- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-
- FET
- 616±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 560±ß¡¢ÀÇ 56±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 187±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 170±ß¡¢ÀÇ 17±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8
-
- FET
- 297±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 270±ß¡¢ÀÇ 27±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4